Team Group Inc. UD5-6400 16GB против A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

-->

Средняя оценка

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Причины выбрать
Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 31

Около 32% меньшая задержка

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.2 15

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.3 13.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 31
Скорость чтения, Гб/сек

15.0 18.2
Скорость записи, Гб/сек

13.9 14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 21300

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3774 3439

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB

G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB

модули RAM

Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

модули RAM