Team Group Inc. UD5-6400 16GB против A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB

-->

Средняя оценка

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Средняя оценка

A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB

A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Причины выбрать
Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 53

Около 60% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3% выше полоса пропускания

A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 15

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,375.6 13.9

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR2
Задержка в PassMark, нс

21 53
Скорость чтения, Гб/сек

15.0 5,069.4
Скорость записи, Гб/сек

13.9 2,375.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 6400

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3774 943

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB

A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB

Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB

Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB

модули RAM