Team Group Inc. UD5-6400 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

-->

Средняя оценка

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Причины выбрать
Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

21.4 15

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.6 13.9

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 21
Скорость чтения, Гб/сек

15.0 21.4
Скорость записи, Гб/сек

13.9 17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3774 3954

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

модули RAM