RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Сравнить
Team Group Inc. UD5-6400 16GB против INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Средняя оценка
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
30
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
15
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
13.9
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3774
2496
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link