Team Group Inc. UD5-6400 16GB против Lenovo 16GB

-->

Средняя оценка

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Средняя оценка

Lenovo 16GB

Lenovo 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Причины выбрать
Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 50

Около 58% меньшая задержка

Lenovo 16GB

Причины выбрать
Lenovo 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.4 15

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.9 13.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Lenovo 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 50
Скорость чтения, Гб/сек

15.0 16.4
Скорость записи, Гб/сек

13.9 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 21300

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3774 2951

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 9905701-006.A00G 16GB

Kingston 9905701-006.A00G 16GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N

модули RAM