RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
87
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
18.4
Скорость записи, Гб/сек
870.4
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3500
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link