RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
87
Около -278% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
870.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2785
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link