RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
87
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2735
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link