RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology C 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology C 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
87
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.2
Скорость записи, Гб/сек
870.4
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1983
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology C 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link