RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
87
Около -156% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
870.4
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2826
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link