RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
55
87
Около -58% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
55
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2612
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link