RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
5.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
87
Около -23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
12.9
Скорость записи, Гб/сек
870.4
5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1359
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link