RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
87
Около -164% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
870.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3084
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link