RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
87
Около -314% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3202
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link