RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
87
Около -118% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2965
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link