RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
87
Около -190% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3431
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link