RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
87
Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
50
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
12.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2326
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link