RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
87
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
11.8
Скорость записи, Гб/сек
870.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2354
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link