RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Inmos + 256MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 11.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    870.4 left arrow 9.1
    Среднее значение в тестах
Inmos + 256MB Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 87
    Около -190% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    16800 left arrow 5300
    Около 3.17 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    87 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,155.6 left arrow 11.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    870.4 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 16800
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    417 left arrow 2318

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

Inmos + 256MB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
модули RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
модули RAM
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
модули RAM