RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
87
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3711
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link