RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
87
Около -118% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
870.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2972
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link