RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
87
374
Около 77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
0.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
1.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
374
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
0.8
Скорость записи, Гб/сек
870.4
1.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
269
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link