RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
87
Около -118% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.4
Скорость записи, Гб/сек
870.4
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2495
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Mushkin 991586 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link