RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
87
Около -190% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3609
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link