TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 10.3

Среднее значение в тестах

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 87

Около -142% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 36
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 15.0
Скорость записи, Гб/сек

870.4 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 2569

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

Kingston KMKYF9-HYA 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB

Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB

модули RAM