RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
87
Около -190% меньшая задержка
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.2
Скорость записи, Гб/сек
870.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2913
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link