TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 12.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 10.6

Среднее значение в тестах

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 87

Около -248% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 25
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 12.4
Скорость записи, Гб/сек

870.4 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 1511

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB

модули RAM

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston 9905702-012.A00G 8GB

Kingston 9905702-012.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB

A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB

Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

модули RAM