RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
870.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
87
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
56
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
9.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2294
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link