RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
87
Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2264
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link