RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
87
Около -129% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.9
Скорость записи, Гб/сек
870.4
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2581
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link