RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
87
Около -222% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.9
Скорость записи, Гб/сек
870.4
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2186
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link