TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.6

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 53

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.6 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 33
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 15.6
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 3136

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

модули RAM

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

Corsair CM3X2G1600C9 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

модули RAM