TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.5

Среднее значение в тестах

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 53

Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи

16.3 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 24
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 19.5
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 3718

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB

модули RAM

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston 9905630-066.A00G 16GB

Kingston 9905630-066.A00G 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB

модули RAM

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

модули RAM