TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.8

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 53

Около -43% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.3 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 37
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 15.8
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 3373

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

ASint Technology SLA302G08-MGJHB 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM