RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
53
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3047
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link