TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.1

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 53

Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.1 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 28
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 17.1
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 3379

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Kingston 9905702-137.A00G 8GB

Kingston 9905702-137.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB

Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB

Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB

модули RAM