RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.2
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
4152
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link