RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
53
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3102
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link