RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
53
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2409
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link