TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.8

Среднее значение в тестах

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

Причины выбрать
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 53

Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.9 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 23
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 16.8
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 2872

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

модули RAM