TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Kingston 9965600-027.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 53

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.8 3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.9 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 33
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 9.8
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 2250

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

Kingston 9965600-027.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston 9905625-062.A00G 8GB

Kingston 9905625-062.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston 9905701-022.A00G 16GB

Kingston 9905701-022.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

модули RAM