TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Kingston X5H5PW-MIE 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.5

Среднее значение в тестах

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Причины выбрать
Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 53

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.5 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 33
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 16.5
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 3111

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB

V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

модули RAM