RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
53
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2346
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link