RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
53
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2910
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link