RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
53
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2763
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link