RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
53
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
46
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2660
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link