RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
53
Около -179% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.2
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3681
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link