TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Средняя оценка

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

53 90

Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 15.6

Среднее значение в тестах

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Причины выбрать
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.7 1,590.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

53 90
Скорость чтения, Гб/сек

3,726.4 15.6
Скорость записи, Гб/сек

1,590.1 8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

522 1743

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB

Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB

модули RAM