TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Причины выбрать
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 34

Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 13.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

34 28
Скорость чтения, Гб/сек

13.1 17.6
Скорость записи, Гб/сек

8.1 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2393 3336

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB

Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB

модули RAM