RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
43
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
2250
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link